超高速伝送技術を支える「高速ICTデバイス技術」の動向について

第82回テレコム技術情報セミナー SCAT5階会議室 平成22年10月22日(金)13:30~17:00
超高速伝送技術を支える「高速ICTデバイス技術」の動向について

主催者挨拶 SCAT常務 藍沢幹人
NICT委託研究の高速ICTデバイス技術研究の成果を紹介

セミナーブリーフィング NICT 新世代ネットワーク研究センター 先端ITCデバイスグループ 光波デバイスプロジェクト/ミリ波デバイスプロジェクト プロジェクトリーダー 川西哲也
21年度の高速ICTデバイス技術動向調査を三村高志富士通研究所フェローを委員長として行った。光と無線の速度差がなくなるのを目指して。
将来ICTでは、利用者からは無線がベターだが消費電力でマイナス。日本の技術優位はどうか。
情報爆発とICT電力消費の問題。
1chで400G、ファイバー1本で70Tが研究段階で出てきている。
無線とデジタルシステムの周波数に違いがなくなってきた。
無線と高速デジタル伝送技術で帯域広がりも近づいた。
センシングなど電波にしかできないアプリケーションはあり。
密集地域で多数が同時に利用するニーズはある。
超高速ICTデバイスが比須。計測は二倍の高調波まで測定する必要あるので、60GHzシステムでは120GHzの高精度測定が必要
無線では320GHz100GHz幅、優先では400Gbps,1Tbpsイーサネット、計測、テラヘルツCMOS fmax1.2THz以上
ICT材料と資源 製造段階での回収だけでも大きな効果ある。

超高速伝送技術 大阪大学大学院 基礎工学研究科 准教授 村田博司
無線 300GHz で70GHZ帯域のが報告されている。
光IQ変調が可能になった。
テラビットの時代へ。

高速・高周波計測技術とデバイス技術 横河電機株式会社 半導体センター 通信機器マーケッティング部 部長 松浦裕之
測定では海外におさえられている。

デバイス・回路の技術動向 株式会社富士通研究所 基礎技術研究所 先端デバイス研究部 部長 原直紀
高速電子デバイス技術動向調査委員会でまとめた。
色んな大容量通信の応用例はある。
伝送容量を向上させるには、高SN化、広帯域化、並列伝送化
ガリウムヒソ GaAsデバイスは今の主流。
インジュウムリン InPデバイスは高性能を実証。ミリ波T波では主にこれか。FTで500GHz超えるMMIC。
ガリウムナイトライト GaNデバイス L/S帯では実用化。ミリ波帯高出力素子、パワーエレクトロニクス用に。
シリコン Siデバイス 低コスト、量産性。データ処理部と集積化可能。

高周波実装技術 三菱電機株式会社 高周波デバイス製作所 高周波デバイス部 携帯電話デバイス第3課 課長 井上晃
周波数が高くなると、小さくなるので実装が大変。
日本は進んできたが、米国での異種半導体の積層化等の取組もある。

高速電子デバイスの将来展望 東京工業大学大学院 理工学研究科 電子物理工学専攻 准教授 宮本恭幸
シリコンCMOSのロードマップ 国際半導体ロードマップ(ITRS)を元に
ゲート長の予想 二年おきに全面改定し、2004年ごろから微細化の予想より遅くなっている。
しかし、別の新しいトランジスタ性能向上技術(テクノロジーブースター)の導入により、CMOSとしての高速化の速度は変わらず。
DARPAの資金により、InP 開発進む。Teraherts Electronics Phase1 670GHz Phase2 850GHz Phase3 1030GHz
軍の資金援助ない日本は、そこまでいっていない。日本でそもそも最近はそういう目標をつくっていないね。
CMOSは100GHzもう実用。発信器の最高は410GHz。
超伝導系素子は電波天文観測などで応用。
半導体加工技術 リソグラフィ 最先端のマスクセットは1セットで2億円程度。大量生産が必須。

全体質疑
アメリカとの違い。アメリカから買うことになるかも。それに、売ってくれない心配もあるよ。

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